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Este encapsulado ofrece una memoria no volátil de alta fiabilidad, elevada densidad y bajo consumo.

Fruto de la colaboración con Avalanche Technology, esta QED MRAM de 1 Gb ofrece un microcircuito en encapsulado plástico apantallados que posee la calificación de la NASA (instrucciones eléctricas, electrónicas y electromecánicas).

La nueva Spin Transfer Torque QED MRAM de 1 Gb proporciona un acceso de lectura/escritura aleatoria en el array de memoria, con el beneficio añadido de ser altamente resistente al flujo magnético, mitigando la necesidad de apantallado adicional.

Con el certificado EEE-INST-002 (sección M2) como PEM Nivel 2 es análogo a la tecnología Flash con una interfaz de lectura/escritura compatible con SRAM, ECC avanzado y registro de configuración con una mejora de rendimiento adicional: la función de modo de página asincrónica.

Los dispositivos Perpendicular Spin-Torque MRAM dotan de protección inherente en entornos adversos y el mejor perfil de potencia de todas las memorias no volátiles, haciendo que estén especialmente indicados en aplicaciones espaciales y aeroespaciales de alta fiabilidad.

Como la última novedad de la familia MRAM de la representada de Anatronic, la memoria MRAM de grado espacial Spin-Torque, Persistent 1Gb QED MRAM de 32M x 32 se encuentra disponible en dos versiones: Radiation Tolerant o Non-Rad en un encapsulado plástico BGA solder-ball 142 de 17 x 15mm.

Todos los dispositivos Micross pMTJ STT-MRAM se distinguen por una resistencia casi infinita al ofrecer una retención de datos de más de diez años en el rango de temperatura de -40 a +125 °C. Rinden con una tensión de 2,7 a 3,6 V, con un acceso mínimo garantizado de 45 ns en el rango de temperatura militar (de -55 a +125 °C).
Micross y Avalanche continúan cooperando para responder a la necesidad de soluciones de memoria de alta densidad, bajo consumo y pequeño tamaño con diferentes opciones de densidad y encapsulado en dispositivos STT-MRAM con la mejor tecnología de memoria no volátil.