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Diodos SiC, de STMicroelectronics, para la industria del automóvil.

  • Foto Diodos SiC, de STMicroelectronics, para la industria del automóvil.
Resultan ideales en inversores de cargadores de batería PHEV y generadores solares. STMicroelectronics, uno de los mayores fabricantes de semiconductores, ha lanzado nuevos diodos de carburo de silicio (SiC) para el sector de la automoción en aplicaciones como cargadores de batería on-board (OBC) avanzados y vehículos eléctricos, como Plug-in Hybrids (PHEV) que demandan elevada capacidad de gestión de potencia en un reducido espacio.

Estos diodos permiten a los diseñadores construir módulos de alimentación más compactos, que resultan ideales en aplicaciones de automoción y son una buena elección para afrontar el reto Little Box Challenge presentado por Google e IEEE. ST es uno de los partners de esta competición (con un millón de dólares en premios) para diseñar inversores a escala kW que sean diez veces menores a los inversores actuales de varias aplicaciones, particularmente micro-generadores solares.

Los diodos emplean tecnología avanzada para evitar picos de corriente que puedan dañar los dispositivos. Hasta la fecha, los diseñadores solían aumentar las especificaciones de los diodos en lo relativo a la seguridad. Ahora, la nueva solución de ST ofrece una capacidad de sobrecorriente 2.5 veces superior a la corriente promediada. Esto permite el uso de diodos de menor corriente, más compactos y económicos, sin comprometer la fiabilidad ni la eficiencia.

Los nuevos modelos SiC de ST, con calificación para automoción y tensión reverse-breakdown de 650 V, satisfacen los factores de derating (limitación de potencia) de tensión aplicados por los fabricantes de automóviles a la hora de garantizar un margen de seguridad entre tensiones “normales” y picos en los semiconductores empleados en OBC.

Los dispositivos se benefician de las ventajas de SiC como una tecnología Wide Band-Gap (WBG) que permite disminuir las pérdidas de conmutación e incrementar los ratios de tensión en relación con el tamaño con respecto a alternativas convencionales de silicio.

Los nuevos modelos de 650 V introducidos incluyen el 10A STPSC10H065DY y el 12A STPSC12H065DY en encapsulado TO-220AC. Además, el
STPSC20H065CTY en TO-220AB y el STPSC20H065CWY en TO-247 son dispositivos de diodo dual 2x10 A que ayudan a maximizar la utilización de espacio y minimizar el peso del OBC.

 

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